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S9013	文件：349.4 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W CollectorCurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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S9013	文件：593.19 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoS9012 ●ExcellenthFElinearity	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
S9013	文件：124.21 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE ComplementarytoS9012 ExcellenthFElinearity	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亞電器集團大亞電器集團有限公司	DAYA
S9013	文件：304.68 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
S9013	文件：752.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Features ?HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ?ComplementaryToS9012. ?ExcellentHFELinearity. ?Powerdissipation.(PC=300mW)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
S9013	文件：815.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCollectorCurrent. ●ComplementarytoS9012. ●ExcellenthFELinearity.	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU

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