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MMDT8050S	文件：108.44 Kbytes Page：2 Pages	LOWVCESATNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT8050SisaDualNPNepitaxialplanartransistor.IthaslowVCE(sat)performance,andthetransistorelementsareindependent,eliminatinginterference. FEATURES LowVCE(sat),VCE(sat)=40mV(typ.)@IC/IB=50mA/2.5mA Transistorelementsareindependent,elimi	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MMS8050-H	文件：187.53 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors ?Capableof0.3Watts(Tamb=25°C)ofPowerDissipation. ?Collector-current0.5A ?Collector-baseVoltage40V ?Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C ?Mar	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC

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