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MMBTSA733	文件：174.02 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintofivegroupsR,O,Y, PandL,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistorMMBTSC945 isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTSA733	文件：84.95 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintofivegroupsR,O,Y, PandL,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistorMMBTSC945 isrecommended.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
MMBTSA733	文件：446.66 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
MZ733	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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