KST5551數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
KST5551 |
| 參數(shù)屬性 | KST5551 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 |
| 功能描述 | KST5551: NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-20 15:31:00 |
| 人工找貨 | KST5551價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多KST5551規(guī)格書詳情
描述 Description
KST5551
特性 Features
集電極-發(fā)射極電壓： VCEO= 160V
集電極損耗： PC（最大值）= 350mW 放大器晶體管
應(yīng)用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
簡(jiǎn)介
KST5551屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的KST5551晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：KST5551
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
：?Active??
- Description
：?NPN Epitaxial Silicon Transistor?
- Polarity
：?
- Type
：?
- VCE(sat) Max (V)
：?
- IC Cont. (A)
：?
- VCEO Min (V)
：?
- hFE Min
：?
- hFE Max
：?
- fT Min (MHz)
：?
- PTM Max (W)
：?
- Package Type
：SOT-23-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飛兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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詢價(jià) | ||
SAMSUNG |
24+ |
SOT-23 |
12200 |
新進(jìn)庫(kù)存/原裝 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
SAMSUNG |
23+ |
65480 |
詢價(jià) | ||||
SAMSUNG |
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
詢價(jià) | ||
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SOT-23- |
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19+ |
SOT-23 |
20000 |
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SOT-23 |
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詢價(jià) |
