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KSH117分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

KSH117
廠商型號(hào)

KSH117

參數(shù)屬性

KSH117 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

331.94 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-13 17:26:00

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KSH117規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? High DC current gain

? Built-in a damper diode at E-C

? Electrically similar to popular TIP117

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    KSH117TF

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    25MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D-Pak

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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