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KSD261O中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

KSD261O
廠商型號(hào)

KSD261O

功能描述

Low Frequency Power Amplifier

文件大小

38.83 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 23:01:00

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KSD261O規(guī)格書詳情

Low Frequency Power Amplifier

? Complement to KSA643

? Collector Power Dissipation : PC=500mW

? Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    KSD261O

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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