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KSD2012數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

KSD2012

參數(shù)屬性

KSD2012 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

功能描述

NPN外延硅晶體管
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

封裝外殼

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-17 23:01:00

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KSD2012規(guī)格書詳情

特性 Features

? 低頻功率放大器
?KSB1366 補充器件
?低頻功率放大器

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

簡介

KSD2012屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由制造生產(chǎn)的KSD2012晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :KSD2012

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :7

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1

  • hFE Min

    :150

  • hFE Max

    :320

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :25

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
2950
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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TO220F
7350
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