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KSD1692分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

KSD1692
廠商型號

KSD1692

參數(shù)屬性

KSD1692 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3

功能描述

NPN (HIGH DC CURRENT GAIN LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C)

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

263.79 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

SAMSUNG三星

中文名稱

三星半導體官網(wǎng)

原廠標識
SAMSUNG
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-3 11:10:00

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KSD1692規(guī)格書詳情

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

HIGH DC CURRENT GAIN

LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE

BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C

HIGH POWER DISSIPATION : PT = 1.3 W (Ta=25°C)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    KSD1692YS

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.2V @ 1.5mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    4000 @ 1.5A,2V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
23+
TO-126
13000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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986966
國產(chǎn)
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