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KHB4D0N80F1

N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=800V,ID=4A ?Drain-So

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KHB4D0N80F1

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    KHB4D0N80F1

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全稱:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多KHB4D0N80F1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-21 9:06:00