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PHX3N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHX3N50E

PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated

GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX3N50Eissupplied

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

RFM3N50

3A,450Vand500V,3Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These

Intersil

Intersil Corporation

RFP3N50

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

RFP3N50

3A,450Vand500V,3Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These

Intersil

Intersil Corporation

SIHD3N50D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHD3N50D

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHU3N50D

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHU3N50D

DSeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) ?Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry -Lowfigure-of-merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHU3N50DA

DSeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) ?Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry -Lowfigure-of-merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • AEC-Q：

    N

  • Package：

    IPAK(1)

  • Polarity：

    N

  • BVDSS [V]：

    500

  • ID [A]：

    2.5

  • PD [W]：

    40

  • RDS(ON) @10V[?]：

    2.5

  • Qg [nC]：

    8

  • Vth_Min[V]：

    2.5

  • Vth_MAX[V]：

    4.5

  • Ciss[pF]：

    350

  • ESD DIODE：

    Y

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
KEC
2022+
TO-251
50000
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價(jià)
KEC
23+
IPAK(1)
13000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
KEC
23+
TO-251
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
KEC
2022+
TO-251
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價(jià)
KEC
25+
TO-251
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
KEC
23+
TO-251
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
KEC
21+
TO-251
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
KEC
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價(jià)
KEC
23+
TO-251
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
KEC
24+
NA/
4906
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
更多KF3N50IZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:02:00

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