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KDB2670中文資料科信電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

KDB2670
廠商型號

KDB2670

功能描述

200V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

51.21 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

KEXIN

中文名稱

科信電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-10 17:42:00

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KDB2670規(guī)格書詳情

特性 Features

● 19 A, 200 V. RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10 V

● Low gate charge (27 nC typical)

● Fast switching speed

● High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

● High power and current handling capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    KDB2670

  • 制造商:

    TYSEMI

  • 制造商全稱:

    TY Semiconductor Co., Ltd

  • 功能描述:

    19 A, 200 V. RDS(ON) = 130 m VGS = 10 V Fast switching speed Low gate charge

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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