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K6F2008U2E-EF70中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

K6F2008U2E-EF70
廠商型號

K6F2008U2E-EF70

功能描述

256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

文件大小

130.93 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

SAMSUNG

中文名稱

三星

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-10 14:20:00

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K6F2008U2E-EF70規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

The K6F2008U2E families are fabricated by SAMSUNG¢s advanced Full CMOS process technology. The families support various operating temperature ranges and have various package types for user flexibility of system design. The families also supports low data retention voltage for battery back-up operation with low data retention current.

FEATURES

? Process Technology: Full CMOS

? Organization: 256Kx8

? Power Supply Voltage: 2.7~3.3V

? Low Data Retention Voltage: 1.5V(Min)

? Three State Outputs

? Package Type: 32-TSOP1-0813.4F, 48(36)-TBGA-6.00x7.00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    K6F2008U2E-EF70

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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