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K4B1G1646I-BYMA

三代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器; ? High Speed and Performance\n? Low Power, Efficient DRAM Solution\n;

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

K4B1G1646D

1GbD-dieDDR3SDRAMSpecification

The1GbDDR3SDRAMD-dieisorganizedasa32Mbitx4I/Osx8banks,16Mbitx8I/Osx8banksor8Mbitx16I/Osx8banksdevice.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble-data-ratetransferratesofupto1600Mb/sec/pin(DDR3-1600)forgeneralapplications.

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

K4B1G1646E

ConsumerMemory

SDRAMProductGuide MemoryDivision November2007

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

K4B1G1646E

DDR3SDRAMMemory

DDR3SDRAMSpecification DDR3SDRAMMemory

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

K4B1G1646G-BC

PRODUCTSELECTIONGUIDEDisplays,MemoryandStorage

Samsungcontinuestoleadtheindustrywiththebroadestportfolioofmemoryproductsand displaytechnology.Itsdisplaypanels,DRAM,flash,mobileandgraphicsmemoryarefoundinmany computers–fromultrabookstopowerfulservers–andinawiderangeofhandhelddevicessuch assmartphon

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

K4B1G1646G-BY

PRODUCTSELECTIONGUIDEDisplays,MemoryandStorage

Samsungcontinuestoleadtheindustrywiththebroadestportfolioofmemoryproductsand displaytechnology.Itsdisplaypanels,DRAM,flash,mobileandgraphicsmemoryarefoundinmany computers–fromultrabookstopowerfulservers–andinawiderangeofhandhelddevicessuch assmartphon

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Org.：

    64M x 16

  • Speed：

    1866 Mbps

  • Voltage：

    1.35 V

  • Temp.：

    0 ~ 85 °C

  • Package：

    96FBGA

  • Product Status：

    Mass Production

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SAMSUNG/三星
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原裝
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SAMSUNG/三星全新特價K4B1G1646I-BYMA即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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SAMSUNG(三星)
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SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
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全新原裝現(xiàn)貨特價銷售,歡迎來電查詢
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更多K4B1G1646I-BYMA供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:33:00

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