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K3567中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

K3567
廠商型號

K3567

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)

文件大小

94.43 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 14:25:00

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K3567規(guī)格書詳情

Switching Regulator Applications.

2SK3567 -> Marking K3567.

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 1.7 ?(typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.5 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS= 100 μA (max) (VDS= 600 V)

? Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOS
2025+
TO-220
3550
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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