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K170	文件：218.88 Kbytes Page：4 Pages	FET,SiliconNChannelJunctionType(forLowNoiseAudioAmplifier) LowNoiseAudioAmplifierApplications ?RecommendedforfirststagesofEQandM.C.headamplifiers. ?High\|Yfs\|:\|Yfs\|=22mS(typ.)(VDS=10V,VGS=0,IDSS=3mA) ?Highbreakdownvoltage:VGDS=?40V ?Lownoise:En=0.95nV/Hz1/2(typ.)(VDS=10V,ID=1mA,f=1kHz) ?High	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA

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