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JANTXV2N3019分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
JANTXV2N3019 |
| 參數(shù)屬性 | JANTXV2N3019 封裝/外殼為TO-205AA，TO-5-3 金屬罐；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 80V 1A TO5 |
| 功能描述 | LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-205AA，TO-5-3 金屬罐 |
| 文件大小 |
71.18 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-5 13:41:00 |
| 人工找貨 | JANTXV2N3019價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
JANTXV2N3019規(guī)格書詳情
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/391
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
JANTXV2N3019
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/391
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，10V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-205AA，TO-5-3 金屬罐
- 供應商器件封裝：
TO-5
- 描述：
TRANS NPN 80V 1A TO5
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANTXV2N3019 |
2 |
2 |
詢價 | ||||
MOT |
24+ |
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詢價 | |||
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詢價 |
