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JANS2N5151U3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

JANS2N5151U3
廠商型號

JANS2N5151U3

參數(shù)屬性

JANS2N5151U3 封裝/外殼為3-SMD,無引線;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

3-SMD,無引線

文件大小

178.59 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

MICROSEMI美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-5 19:30:00

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JANS2N5151U3規(guī)格書詳情

PNP POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/545

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    JANS2N5151U3

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 500mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 2.5A,5V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,無引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    U3

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
MICROSEMI
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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