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JAN2N3867S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

JAN2N3867S
廠商型號(hào)

JAN2N3867S

參數(shù)屬性

JAN2N3867S 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 0.003A TO39

功能描述

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

封裝外殼

TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

文件大小

121.29 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

MICROSEMI

中文名稱

美高森美

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-9 17:05:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    JAN2N3867S

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/350

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 250mA,2.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 1.5A,2V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.003A TO39

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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