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JAN2N1711分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

JAN2N1711
廠商型號

JAN2N1711

參數(shù)屬性

JAN2N1711 封裝/外殼為TO-205AA,TO-5-3 金屬罐;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 0.5A TO5

功能描述

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-205AA,TO-5-3 金屬罐

文件大小

59.07 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

MICROSEMI

中文名稱

美高森美

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 19:45:00

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JAN2N1711規(guī)格書詳情

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/225

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    JAN2N1711

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/225

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 15mA,150mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AA,TO-5-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-5

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.5A TO5

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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