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IXYY8N90C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXYY8N90C3
廠商型號

IXYY8N90C3

參數(shù)屬性

IXYY8N90C3 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252

功能描述

900V XPTTM IGBT
IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

178.13 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-18 23:01:00

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IXYY8N90C3規(guī)格書詳情

IXYY8N90C3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXYY8N90C3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXYY8N90C3

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?, XPT?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,8A

  • 開關(guān)能量:

    460μJ(開),180μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    16ns/40ns

  • 測試條件:

    450V,8A,30 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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