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IXYN30N170CV1中文資料XPT? 高電壓IGBT數(shù)據(jù)手冊Littelfuse規(guī)格書

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廠商型號

IXYN30N170CV1

參數(shù)屬性

IXYN30N170CV1 封裝/外殼為SOT-227-4,miniBLOC;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT

功能描述

XPT? 高電壓IGBT

封裝外殼

SOT-227-4,miniBLOC

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名稱

力特 力特公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-9 9:39:00

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IXYN30N170CV1規(guī)格書詳情

特性 Features

? XPT?薄晶圓技術(shù)
? 較低的通態(tài)電壓VCE(sat)
? 代加工快速恢復(fù)二極管
? 正溫度系數(shù)VCE(sat)
? 國際標(biāo)準(zhǔn)尺寸高壓封裝

應(yīng)用 Application

? 脈沖電路
? 激光和X射線發(fā)生器
? 高壓電源
? 高壓檢測設(shè)備
? 電容放電電路
? AC開關(guān)

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :IXYN30N170CV1

  • 生產(chǎn)廠家

    :Littelfuse

  • VCES - Collector-Emitter Voltage (V)

    :1700

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :80

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :4

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :95

  • Configuration

    :Copack (FRED)

  • Package Type

    :SOT-227U

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.22

  • Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)

    :3.5

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :30

  • Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)

    :0.43

  • Forward Current @ 110 ℃ (A)

    :33

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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