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IXYK30N170CV1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXYK30N170CV1
廠商型號

IXYK30N170CV1

參數(shù)屬性

IXYK30N170CV1 封裝/外殼為TO-264-3,TO-264AA;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(

功能描述

High Voltage XPT IGBT w/ Diode
DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(

封裝外殼

TO-264-3,TO-264AA

文件大小

243.7 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 11:26:00

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IXYK30N170CV1規(guī)格書詳情

IXYK30N170CV1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXYK30N170CV1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXYK30N170CV1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    XPT?

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    3.6mJ(開),1.8mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    16ns/143ns

  • 測試條件:

    850V,30A,2.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-264(IXYK)

  • 描述:

    DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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