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IXYK100N65B3D1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

IXYK100N65B3D1

參數(shù)屬性

IXYK100N65B3D1 封裝/外殼為TO-264-3,TO-264AA;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT

功能描述

Advance Technical Information
IGBT

封裝外殼

TO-264-3,TO-264AA

文件大小

227.3 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-9-21 10:30:00

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IXYK100N65B3D1規(guī)格書詳情

IXYK100N65B3D1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXYK100N65B3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXYK100N65B3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    XPT?, GenX3?

  • 包裝:

    托盤

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,70A

  • 開關(guān)能量:

    1.27mJ(開),2mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    29ns/150ns

  • 測試條件:

    400V,50A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-264

  • 描述:

    IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
22+
TO264 (IXYK)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
24+
N/A
75000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
IXYS
原廠封裝
9800
原裝進口公司現(xiàn)貨假一賠百
詢價
IXYS
23+
TO-264
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
IXYS
23+
TO264 (IXYK)
9000
原裝正品,支持實單
詢價
IXYS
2022+
TO-264
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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IXYS
1343
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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IXYS/艾賽斯
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