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IXYB82N120C3H1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

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廠商型號(hào)

IXYB82N120C3H1

參數(shù)屬性

IXYB82N120C3H1 封裝/外殼為TO-264-3,TO-264AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264

功能描述

1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode
IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264

封裝外殼

TO-264-3,TO-264AA

文件大小

222.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-21 15:08:00

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IXYB82N120C3H1規(guī)格書詳情

IXYB82N120C3H1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXYB82N120C3H1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

特性 Features

? Optimized for Low Switching Losses

? Square RBSOA

? Anti-Parallel Ultra Fast Diode

? Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

? Avalanche Rated

? High Current Handling Capability

? International Standard Package

Advantages

? High Power Density

? Low Gate Drive Requirement

Applications

? High Frequency Power Inverters

? UPS

? Motor Drives

? SMPS

? PFC Circuits

? Battery Chargers

? Welding Machines

? Lamp Ballasts

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXYB82N120C3H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?, XPT?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,82A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    4.95mJ(開(kāi)),2.78mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    29ns/192ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,80A,2 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLUS264?

  • 描述:

    IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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IXYS
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IXYS
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PLUS264?
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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