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IXXH30N60B3D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXXH30N60B3D1
廠商型號

IXXH30N60B3D1

參數(shù)屬性

IXXH30N60B3D1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 270W TO247

功能描述

XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/ Diode
IGBT 600V 60A 270W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

199.2 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-7 16:52:00

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IXXH30N60B3D1規(guī)格書詳情

IXXH30N60B3D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXXH30N60B3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching

特性 Features

● Optimized for 5-30kHz Switching

● Square RBSOA

● Anti-Parallel Ultra Fast Diode

● Avalanche Capability

● Short Circuit Capability

● International Standard Package

Advantages

● High Power Density

● 175°C Rated

● Extremely Rugged

● Low Gate Drive Requirement

Applications

● Power Inverters

● UPS

● Motor Drives

● SMPS

● PFC Circuits

● Battery Chargers

● Welding Machines

● Lamp Ballasts

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXXH30N60B3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?, XPT?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,24A

  • 開關(guān)能量:

    550μJ(開),500μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    23ns/97ns

  • 測試條件:

    400V,24A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247(IXXH)

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 270W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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TO247
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IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯
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TO-247
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正規(guī)渠道原裝正品
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IXYS
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