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IXTY1N120P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

IXTY1N120P
廠商型號(hào)

IXTY1N120P

參數(shù)屬性

IXTY1N120P 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

功能描述

N-Channel Enhancement Mode
MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

130.84 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
IXYS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-4 15:03:00

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IXTY1N120P規(guī)格書詳情

IXTY1N120P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXTY1N120P晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

Polar? Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

特性 Features

? International Standard Packages

? Low QG

? Avalanche Rated

? Low Package Inductance

? Fast Intrinsic Rectifier

Advantages

? High Power Density

? Easy to Mount

? Space Savings

Applications

? DC-DC Converters

? Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

? AC and DC Motor Drives

? Discharge Circiuts in Lasers, Spark Igniters, RF Generators

? High Voltage Pulse Power Applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXTY1N120P

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    Polar

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    1A(Tc)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252AA

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 描述:

    MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS
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