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IXTU1R4N60P中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTU1R4N60P
廠商型號

IXTU1R4N60P

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件大小

157.63 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTU1R4N60P

  • 功能描述:

    MOSFET 1.4 Amps 600V 9.0 Ohms Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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IXYS/艾賽斯
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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IXYS/艾賽斯
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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