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IXTT10P50中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXTT10P50
廠商型號(hào)

IXTT10P50

功能描述

Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件大小

123.05 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-16 18:19:00

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IXTT10P50規(guī)格書詳情

Standard Power MOSFET

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

特性 Features

? International standard packages

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

? Easy to mount

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXTT10P50

  • 功能描述:

    MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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