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IXTQ50N25T中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTQ50N25T
廠商型號

IXTQ50N25T

功能描述

Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

文件大小

235.8 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-31 20:00:00

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IXTQ50N25T規(guī)格書詳情

Trench Gate Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

特性 Features

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Rectifier

Low RDS(on)

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Applications

DC-DC Coverters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

DC Choppers

AC and DC Motor Drives

Uninterrupted Power Supplies

High Speed Power Switching Applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTQ50N25T

  • 功能描述:

    MOSFET 50Amps 250V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
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