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IXTQ180N055T中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IXTQ180N055T |
| 功能描述 | Trench Gate Power MOSFET |
| 文件大小 |
117.16 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-21 15:08:00 |
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IXTQ180N055T規(guī)格書詳情
Trench Gate Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
特性 Features
? International standard packages
? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IXTQ180N055T
- 功能描述：
MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-3P |
6000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價 | ||
IXYS |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | |||
IXYS |
2022+ |
TO-3P-3,SC-65-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
IXYS(艾賽斯) |
25+ |
封裝 |
500000 |
源自原廠成本,高價回收工廠呆滯 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
TO3P |
7000 |
詢價 | |||
IXYS |
20+ |
TO-3P |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
72000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
