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JCS5N60RC-O-R-N-A

MAINCHARACTERISTICS

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS5N60RC-O-R-N-B

MAINCHARACTERISTICS

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS5N60VB-O-V-N-B

N-CHANNELMOSFET

FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical9pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS5N60VC-O-V-N-B

MAINCHARACTERISTICS

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

KF5N60D

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KF5N60D

PowerMOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

KF5N60F

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=4.5A ?Dr

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KF5N60I

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KF5N60P

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,ID=4.5A ?Dr

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KF5N60P

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTP5N60P

  • 功能描述：

    MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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