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IXTP180N055T分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IXTP180N055T |
參數(shù)屬性 | IXTP180N055T 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個;產品描述:MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB |
功能描述 | Trench Gate Power MOSFET |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
117.16 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產廠商 | IXYS Corporation |
企業(yè)簡稱 |
IXYS |
中文名稱 | IXYS Corporation官網 |
原廠標識 | IXYS |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-5 18:54:00 |
人工找貨 | IXTP180N055T價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IXTP180N055T規(guī)格書詳情
IXTP180N055T屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個。由IXYS Corporation制造生產的IXTP180N055T晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
Trench Gate Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
特性 Features
? International standard packages
? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
產品屬性
更多- 產品編號:
IXTP180N055T
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 包裝:
管件
- FET 類型:
N 通道
- 技術:
MOSFET(金屬氧化物)
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
180A(Tc)
- 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):
4V @ 1mA
- 安裝類型:
通孔
- 供應商器件封裝:
TO-220-3
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 描述:
MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS |
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IXYS/艾賽斯 |
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IXYS/艾賽斯 |
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22+ |
TO2203 |
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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IXYS |
23+ |
TO-220-3 |
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詢價 |