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IXTP180N055T分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IXTP180N055T
廠商型號

IXTP180N055T

參數(shù)屬性

IXTP180N055T 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個;產品描述:MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB

功能描述

Trench Gate Power MOSFET
MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

117.16 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-5 18:54:00

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IXTP180N055T規(guī)格書詳情

IXTP180N055T屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個。由IXYS Corporation制造生產的IXTP180N055T晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Trench Gate Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

特性 Features

? International standard packages

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

? Easy to mount

? Space savings

? High power density

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IXTP180N055T

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術:

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    180A(Tc)

  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):

    4V @ 1mA

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應商器件封裝:

    TO-220-3

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS(艾賽斯)
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7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
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