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IXTP180N055T分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IXTP180N055T |
| 參數(shù)屬性 | IXTP180N055T 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB |
| 功能描述 | Trench Gate Power MOSFET |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
117.16 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-23 14:51:00 |
| 人工找貨 | IXTP180N055T價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IXTP180N055T規(guī)格書詳情
IXTP180N055T屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXTP180N055T晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
Trench Gate Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
特性 Features
? International standard packages
? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IXTP180N055T
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 包裝：
管件
- FET 類型：
N 通道
- 技術：
MOSFET（金屬氧化物）
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
180A（Tc）
- 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：
4V @ 1mA
- 安裝類型：
通孔
- 供應商器件封裝：
TO-220-3
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 描述：
MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS原裝 |
25+23+ |
TO-220 |
22897 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IXYS/Littelfuse |
20+ |
TO-220 |
15800 |
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷 |
詢價 | ||
IXYS |
1923+ |
TO-220 |
8900 |
公司原裝現(xiàn)貨特價長期供貨歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
25+ |
TO220 |
18000 |
原廠直接發(fā)貨進口原裝 |
詢價 | |||
IXYS |
1922+ |
TO-220 |
274 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-220 |
90 |
詢價 | |||
24+ |
N/A |
80000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
IXYS/艾賽斯 |
20+ |
TO-220 |
32500 |
現(xiàn)貨很近!原廠很遠!只做原裝 |
詢價 |
