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IXTP01N100D中文資料艾賽斯數據手冊PDF規(guī)格書

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廠商型號

IXTP01N100D

功能描述

N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET

文件大小

93.01 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-9-23 22:59:00

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IXTP01N100D規(guī)格書詳情

High Voltage MOSFET

N-Channel, Depletion Mode

特性 Features

● Normally ON mode

● Low RDS (on) HDMOSTM process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Fast switching speed

Applications

● Level shifting

● Triggers

● Solid state relays

● Current regulators

產品屬性

  • 型號:

    IXTP01N100D

  • 功能描述:

    MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
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