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IXTM20N60

N通道標準高電壓MOSFET

? 國際標準包裝\n? 快速切換時間\n? 雪崩評級\n? 堅固的多晶硅柵極單元結(jié)構\n? 超低的RDS(on)\n;

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力特力特公司

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MegaMOS FET

MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

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isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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Highefficiencyswitchmodepowersupplies

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

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技術參數(shù)

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.35

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    20

  • Gate Charge (nC):

    150

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    0.42

  • Configuration:

    Single

  • Typical Reverse Recovery Time (ns):

    600

  • Power Dissipation (W):

    300

  • Sample Request:

    No

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXTM20N60供應商 更新時間2025-7-31 15:30:00