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IXTK33N50中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXTK33N50
廠商型號(hào)

IXTK33N50

功能描述

High Current MegaMOSFET

文件大小

85.35 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 23:01:00

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IXTK33N50規(guī)格書詳情

High Current MegaMOS? FET

N-Channel Enhancement Mode

特性 Features

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? International standard package

? Fast switching times

Applications

? Motor controls

? DC choppers

? Uninterruptable Power Supplies (UPS)

? Switch-mode and resonant-mode

Advantages

? Easy to mount with one screw

(isolated mounting screw hole)

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXTK33N50

  • 功能描述:

    MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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