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IXTH21N50中文資料艾賽斯數據手冊PDF規(guī)格書

IXTH21N50
廠商型號

IXTH21N50

功能描述

MegaMOSFET

文件大小

107.4 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網址

網址

數據手冊

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更新時間

2025-9-1 15:53:00

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IXTH21N50規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode

特性 Features

International standard packages

Low RDS (on)HDMOS? process

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Applications

Switch-mode and resonant-mode power supplies

Motor controls

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

DC choppers

產品屬性

  • 型號:

    IXTH21N50

  • 功能描述:

    MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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