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IXTH10P60中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTH10P60
廠商型號

IXTH10P60

功能描述

Standard Power MOSFET

文件大小

70.05 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-21 17:23:00

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IXTH10P60規(guī)格書詳情

Power MOSFETs

P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

特性 Features

? International Standard Packages

? Low RDS (on) HDMOSTM Process

? Rugged Polysilicon Gate Cell Structure

? Avalanche Rated

? Low Package Inductance - Easy to Drive and to Protect

Advantages

? Easy to Mount

? Space Savings

? High Power Density

Applications

? High-Side Switching

? Push Pull Amplifiers

? DC Choppers

? Automatic Test Equipment

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTH10P60

  • 功能描述:

    MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
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