IXTA2N80中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IXTA2N80 |
| 功能描述 | High Voltage MOSFET |
| 文件大小 |
46.61 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱(chēng) | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-22 15:41:00 |
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IXTA2N80規(guī)格書(shū)詳情
High Voltage MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated
特性 Features
? International standard packages
? Low RDS (on) HDMOSTM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Low package inductance (< 5 nH) - easy to drive and to protect
? Fast switching times
Applications
? Switch-mode and resonant-mode power supplies
? Flyback inverters
? DC choppers
Advantages
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IXTA2N80
- 功能描述：
MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IXYSCORPORAT |
05+ |
原廠原裝 |
4284 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
TO-263 |
8866 |
詢價(jià) | |||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-263 |
4800 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO-263 |
501584 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-263 |
6000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
TO-263 |
7000 |
詢價(jià) | |||
IXYS |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) |
