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首頁(yè)>IXSK35N120BD1>規(guī)格書(shū)詳情

IXSK35N120BD1數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

IXSK35N120BD1

參數(shù)屬性

IXSK35N120BD1 封裝/外殼為T(mén)O-264-3,TO-264AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 70A 300W TO264

功能描述

Short Circuit Rated PT IGBTs

封裝外殼

TO-264-3,TO-264AA

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名稱

力特 力特公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-18 17:24:00

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IXSK35N120BD1規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

·VCES :600V and 1200V
·SCSOA capability
·10 us short circuit withstand capability
·B and B2 Class IGBTs with lower VCE (sat) optimized for Low to Medium Speed Applications

技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXSK35N120BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.6V @ 15V,35A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    36ns/160ns

  • 測(cè)試條件:

    960V,35A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-264AA(IXSK)

  • 描述:

    IGBT 1200V 70A 300W TO264

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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