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RMD20N60DF

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=60V,ID=20A RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

RMD20N60DFV

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=60V,ID=20A RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

SD20N60

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SD20N60

600VCoolMOSE6PowerTransistor

Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SFF20N60B

20AMP600Volts0.35ohmN-ChannelPowerMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

SFF20N60M

20AMP/600Volts0.40ohmN-ChannelPowerMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

SFF20N60N

20AMP/600Volts0.40ohmN-ChannelPowerMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

SFF20N60P

20AMP/600Volts0.40ohmN-ChannelPowerMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

SGB20N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB20N60

FastS-IGBTinNPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistributio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXKC20N60C

  • 功能描述：

    MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXKC20N60C供應商 更新時間2025-7-19 10:51:00

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