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IXGR72N60C3D1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGR72N60C3D1
廠商型號

IXGR72N60C3D1

參數(shù)屬性

IXGR72N60C3D1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247

功能描述

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

839.36 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-9-11 18:25:00

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IXGR72N60C3D1規(guī)格書詳情

IXGR72N60C3D1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGR72N60C3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGR72N60C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,50A

  • 開關能量:

    1.03mJ(開),480μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    27ns/77ns

  • 測試條件:

    480V,50A,2 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    ISOPLUS247?

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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