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IXGR60N60C3D1

High Speed PT IGBT for 40-100 kHz Switching

IXYS

IXYS Corporation

IXGR60N60C3D1

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247

IXYS

IXYS Corporation

IXGH60N60C3D1

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

IXYS

IXYS Corporation

IXGH60N60C3D1

GenX3600VIGBTswithDiode

HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?HighAvalancheCapability ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?HighFreque

IXYS

IXYS Corporation

IXGT60N60C3D1

GenX3600VIGBTswithDiode

HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?HighAvalancheCapability ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?HighFreque

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGR60N60C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,40A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    800μJ(開(kāi)),450μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    21ns/70ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,40A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS247?

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS/艾賽斯
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原裝正品,支持實(shí)單
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更多IXGR60N60C3D1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-8 10:18:00