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IXTY2N100P

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

PolarPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity Applications:

IXYS

IXYS Corporation

IXTY2N100P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KSMD2N100

1000VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMU2N100

1000VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

TPAOD2N100

1000VN-ChannelMOSFET

Application ?Adaptor ?Charger ?Powermanagement oSMPSStandbyPower

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

TPFQD2N100TM

1000VN-ChannelMOSFET

Application ?Adaptor ?Charger ?Powermanagement oSMPSStandbyPower

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

TSM2N100CH

N-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM2N100CP

Advancedplanarprocess

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXGP2N100A

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,2A

  • 開關(guān)能量:

    260μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    15ns/300ns

  • 測試條件:

    800V,2A,150 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 1000V 4A 25W TO220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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更多IXGP2N100A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 9:03:00