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IXGH6N170分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH6N170
廠商型號

IXGH6N170

參數(shù)屬性

IXGH6N170 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1700V 12A 75W TO247

功能描述

High Voltage IGBT
IGBT 1700V 12A 75W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

1.24063 Mbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-15 18:35:00

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IXGH6N170規(guī)格書詳情

IXGH6N170屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGH6N170晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGH6N170

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,6A

  • 開關(guān)能量:

    1.5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    40ns/250ns

  • 測試條件:

    1360V,6A,33 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1700V 12A 75W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
09+
TO-247
136
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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IXYS/艾賽斯
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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TO-247
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