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IXGH36N60B3D1

GenX3 600V IGBT w/ Diode

Medium-SpeedLow-VsatPTIGBT for5-40kHzSwitching Features ?OptimizedforLowConductionand SwitchingLosses ?SquareRBSOA ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackage Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?PowerInver

IXYS

IXYS Corporation

IXGH36N60B3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

IXYS

IXYS Corporation

IXGH36N60B3D1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 250W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH36N60B3D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    540μJ（開），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    19ns/125ns

  • 測試條件：

    400V，30A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 250W TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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IXYS/艾賽斯
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更多IXGH36N60B3D1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:06:00

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