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IXGH20N120B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH20N120B
廠商型號

IXGH20N120B

參數(shù)屬性

IXGH20N120B 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 40A 190W TO247

功能描述

High Voltage IGBT
IGBT 1200V 40A 190W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

574.24 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 23:01:00

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IXGH20N120B規(guī)格書詳情

IXGH20N120B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGH20N120B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

VCES = 1200 V

IC25 = 40 A

VCE(sat) = 3.4 V

tfi(typ) = 160 ns

特性 Features

? High Voltage IGBT for resonant power supplies

- Induction heating

- Rice cookers

? International standard packages

JEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

? Low switching losses, low V(sat)

? MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Advantages

? High power density

? Suitable for surface mounting

? Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGH20N120B

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    2.1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    25ns/150ns

  • 測試條件:

    960V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 190W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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