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IXGH10N100AU1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
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| 廠商型號(hào) |
IXGH10N100AU1 |
| 參數(shù)屬性 | IXGH10N100AU1 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1000V 20A 100W TO247AD |
| 功能描述 | Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
121.57 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-24 20:48:00 |
| 人工找貨 | IXGH10N100AU1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXGH10N100AU1規(guī)格書(shū)詳情
IXGH10N100AU1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXGH10N100AU1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
特性 Features
● International standard package
JEDEC TO-247 AD
● IGBT and anti-parallel FRED in one
package
● 2nd generation HDMOSTM process
● Low VCE(sat)
- for low on-state conduction losses
● MOS Gate turn-on
- drive simplicity
● Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
- soft recovery with low IRM
Applications
● AC motor speed control
● DC servo and robot drives
● DC choppers
● Uninterruptible power supplies (UPS)
● Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
● Space savings (two devices in one
package)
● Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
● Reduces assembly time and cost
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IXGH10N100AU1
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
4V @ 15V，10A
- 開(kāi)關(guān)能量：
2mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
100ns/550ns
- 測(cè)試條件：
800V，10A，150 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1822+ |
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