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IXGA50N60C4中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXGA50N60C4
廠商型號

IXGA50N60C4

功能描述

High-Gain IGBTs

文件大小

224.21 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-9 17:39:00

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IXGA50N60C4規(guī)格書詳情

High-Speed PT Trench IGBT

特性 Features

Optimized for Low Switching Losses

International Standard Packages

Square RBSOA

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXGA50N60C4

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 High Gain IGBTs

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
詢價
IXYS/艾賽斯
22+
TO-263
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-220
12888
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
IXYS
22+
TO263 (IXGA)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
24+
8866
詢價
IXYS
2022+
TO-263(IXGA)
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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原裝正品
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TO-263
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##公司主營品牌長期供應100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術
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JINGDAO/晶導微
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