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IXFX64N60P3

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●Dynamicdv/dtRating ●AvalancheRated ●FastIntrinsicDiode ●LowQG ●LowRDS(on) ●LowDrain-to-TabCapacitance ●LowPackageInductance Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings Applications ●DC-DCCon

IXYS

IXYS Corporation

IXFX64N60P3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=64A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=100mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX64N60P3

N通道HiPerFET MOSFET; ? 超低通態(tài)電阻RDS(ON)和柵極電荷Qg\n? 快速體二極管\n? dv/dt強度\n? 雪崩評級\n? 較低的封裝電感\(zhòng)n? 國際標(biāo)準(zhǔn)包裝\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

IXFK64N60P3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=64A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=100mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFK64N60P3

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●Dynamicdv/dtRating ●AvalancheRated ●FastIntrinsicDiode ●LowQG ●LowRDS(on) ●LowDrain-to-TabCapacitance ●LowPackageInductance Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings Applications ●DC-DCCon

IXYS

IXYS Corporation

技術(shù)參數(shù)

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：

    0.1

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：

    64

  • Gate Charge (nC)：

    145

  • Thermal resistance [junction-case](K/W)：

    0.11

  • Configuration：

    Single

  • Package Type：

    TO-247 PLUS

  • Power Dissipation (W)：

    1130

  • Maximum Reverse Recovery (ns)：

    250

  • Sample Request：

    Yes

  • Check Stock：

    Yes

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更多IXFX64N60P3供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 20:12:00

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