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IXFX26N60Q中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

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廠商型號

IXFX26N60Q

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

文件大小

103.5 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-21 15:14:00

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IXFX26N60Q規(guī)格書詳情

特性 Features

● Low gate charge

● International standard packages

● Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification

● Low RDS (on) HDMOSTM process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Avalanche energy and current rated

● Fast intrinsic Rectifier

Advantages

● Easy to mount

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFX26N60Q

  • 功能描述:

    MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
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